一、现代（hynix）DDR2内存颗粒编号规则 


　　现代DDR2内存颗粒 

　　HY5PS12821 F-C4就是这颗现代DDR2内存颗粒的编号，我们现在将其分为9部分，一一为大家作个解释。


　　1、 HY：现代内存 
　　2、5P：DDR2 
　　3、S：工作电压1.8V 
　　4、12：512MB容量，如果是28则为128MB、56则为256MB、1G则为1GB、2G则为2GB 
　　5、8：位宽×8，如果是4则位宽为×4、16则为×16、32则为×32 
　　6、2：逻辑Bank数量为4Banks，如果是1则为2Banks、3则为8Banks 
　　7、1：接口类型为SSTL-18，如果是2则为SSTL-2 
　　8、F：封装类型为FBGA Single Die，如果是S则为FBGA Stack、M则为FBGA DDP 
　　9、C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是S6则为DDR2 800 6-6-6、S5则为DDR2 800 5-5-5、Y6为DDR2 677 6-6-6、Y5为DDR2 677 5-5-5、Y4为DDR2 677 4-4-4、C5为DDR2 533 5-5-5、C3为DDR2 533 3-3-3。 

　　二、三星DDR2内存颗粒编号规则 


　　三星DD2内存颗粒 

　　K4T51083QB-GCD5就是这颗三星DDR2内存颗粒的编号，我们将其分为10部分，下面就为大家一一解释。


　　1、 K4：Memory DRAM 
　　2、T：DDR2 
　　3、51：512MB容量，如果为56则是256MB容量，1G为1GB容量，2G为2GB容量 
　　4、08：×8位宽，如果是04则位宽为×4、06为×4 Stack、07为×8 Stack、16为×16 
　　5、3：逻辑Bank数量为4Banks，如果是4则为8Banks 
　　6、Q：接口类型工作电压为SSTL 1.8V 
　　7、B：产品版本为3rd Generation，C为4th Generation，DEFGH依此类推 
　　8、G：封装类型为FBGA，如果是S则为FBGA（Small）、Z为FBGA-LF、Y则为FGBA-LF（Small） 
　　9、C：普通能耗，如果是L则为低能耗 
　　10、D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是D6则为DDR2 677 4-4-4，如果是E6则为DDR2 677 5-5-5，如果是F7则为DDR2 800 6-6-6。 

　　三、英飞凌DDR2内存颗粒编号规则 


　　英飞凌DDR2内存颗粒 

　　HYB18T512800AF37便是这颗英飞凌DDR2内存颗粒的编号，下面我们将其分成9部分一一给大家介绍其中的含义。


　　1、 HYB：就像现代的HY、三星的K4一样是为英飞凌内存颗粒的编号的前缀 
　　2、18：工作电压为1.8V 
　　3、T：DDR2 
　　4、512：容量为512MB，如果是256则为256MB，1G则为1GB 
　　5、80：位宽为×8，如果是40位宽则为×4，如果是16位宽则为×16 
　　6、0：Standard product（标准产品） 
　　7、A：封装版本 
　　8、F：封装形式为FBGA 
　　9、37：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是3则为DDR2 677 4-4-4。 

　　四：南亚DDR2内存颗粒编号规则 


　　南亚DDR2内存颗粒 

　　NT5TU64M8AF-37B便是这颗南亚DDR2内存的编号 


　　1、 NT：南亚科技 
　　2、5T：DDR2 
　　3、U：接口和电压为SSTL 1.8V 
　　4、64M8：容量为512MB，其亦可为128M4、32M16，同理256MB容量为64M4、32M8、16M16 
　　5、A：产品版本1st Version，B为2nd Version，CDE依此类推 
　　6、F：封装类型84Ball BGA 
　　7、37B：速度为DDR2 533 4-4-4，3B为DDR2 677 4-4-4。 

　　五、美光DDR2内存编号规则 


　　美光DDR2内存颗粒 

　　美光DDR2内存颗粒编号看似简单，其实识别不简单。它分为上下两部分，如上图的5MB22为第一部分，这是生产日前和产地编号；D9DCN则是FBGA封装编号，不过从这个编号我们也无法直接得知这款芯片的规格，而在美光官方网站，其使用又是以MT打头的另一种编号，内存芯片上的编号和官方网站使用的编号有何内在联系呢？可惜笔者并没有找到相应的规律，看来看编号识内存在美光DDR2内存上还有一定的障碍。